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IXTN550N055T2
300
250
Fig. 7. Input Admittance
T J = 150oC
300
250
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
200
150
100
50
0
25oC
- 40oC
200
150
100
50
0
25oC
150oC
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
50
100
150
200
250
300
V GS - Volts
I D - Amperes
350
300
250
200
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
9
8
7
6
V DS = 27.5V
I D = 275A
I G = 10mA
Fig. 10. Gate Charge
5
150
4
100
T J = 150oC
3
50
0
T J = 25oC
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
100
200
300
400
500
600
100.0
10.0
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
10,000
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
Coss
100
External Lead Limit
1ms
1.0
f = 1 MHz
Crss
10
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0.1
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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